Sommario:
- Perché il silicio è ampiamente utilizzato rispetto al germanio?
- Perché il silicio è il miglior semiconduttore?
- Quale è meglio tra silicio e germanio?
- Il germanio è un diodo?
Video: Perché il silicio è meglio del germanio?
2024 Autore: Fiona Howard | [email protected]. Ultima modifica: 2024-01-10 06:39
Perché il silicio è solitamente preferito al germanio nella produzione di dispositivi a semiconduttore? Il silicio è abbondante sulla superficie terrestre e quindi più economico del germanio Il valore PIV (Peak Inverse Voltage) del silicio è molto più alto del germanio e quindi può resistere a temperature molto più elevate del germanio.
Perché il silicio è ampiamente utilizzato rispetto al germanio?
La variazione della corrente di interruzione del collettore con la temperatura è minore in silicio rispetto al germanio. … Tuttavia, i cristalli di silicio non sono facilmente danneggiati dal calore in eccesso. I valori nominali di tensione inversa di picco dei diodi al silicio sono maggiori dei diodi al germanio. Si è meno costoso a causa della maggiore abbondanza di elementi.
Perché il silicio è il miglior semiconduttore?
Il numero di fotoni aventi un'energia superiore al gap di silicio è il maggiore negli spettri solari ed è per questo che il silicio è il materiale semiconduttore più conosciuto utilizzato per le celle solari dalla sua energia il divario è di circa 1,1 ev, mentre la densità del flusso di fotoni è la più alta per coloro che trasportano energia superiore a 1,1 ev.
Quale è meglio tra silicio e germanio?
Ge ha una maggiore mobilità di elettroni e lacune e per questo i dispositivi Ge possono funzionare fino a una frequenza maggiore rispetto ai dispositivi Si. Il diodo al germanio è anche superiore al diodo al silicio in termini di perdita di energia, perdita di corrente, ecc. Il diodo Ge perde solo 0,3-0,4 volt mentre un diodo al silicio perde circa 0,6-0,7 volt.
Il germanio è un diodo?
può essere usato come raddrizzatore perché offre una resistenza relativamente alta per la polarizzazione diretta e una resistenza molto bassa per la polarizzazione inversa.
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